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1，高速顺序读写/IOPS性能优越；
2，自主REC算法确保持续写入稳定；
3，支持极端高低温环境作业；
4，支持异常断电保护2000000次以上；
5，支持 Trim、NCQ、SMART，全局均衡擦除；
6，可定制化
| 型号 | BWI46E2 |
|---|---|
| 接口 | SATA3 6.0Gb/s |
| FLASH 类型 | MLC NAND |
| 容量 | 512GB/1TB/2TB |
| 最大通道数 | 4 |
| 连续读/写(MB/s,Max) | 525MB/s（读）；430MB/s（写） |
| 最大功耗 | 1.3W （3.3Vx400mA)/3.3W（3.3Vx1.0A）/1.65W （3.3Vx500mA） |
| 温度感应 | 支持 |
| 外部缓存 | 支持 |
| 固件备份 | 支持 |
| TRIM | 支持 |
| ATA 加密 | 支持 |
| S.M.A.R.T 监控 | 支持 |
| AES 256-Bit | 可选 |
| 掉电保护 | 支持 |
| 快速擦除 | 支持 |
| 物理销毁 | 可选 |
| 工作温度 | -40~85℃ |
| 测试环境 | 震动:20G@7~2000Hz/冲击:1500G@0.5ms/储存温度: -55°C ~ +95°C/ MTBF:>200万小时 |
| 尺寸 | 50.8X29.85X4.85mm |
| 应用方向 | 车载电子 / 医疗保健 / 行业终端应用 / 视频监控 |
| 技术特点 | 宽温 / IPS掉电保护 / V-REC / 三防漆涂层 / 端到端的数据保护 / S.M.A.R.T. |
